FCB20N60TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FCB20N60TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

通道数 1

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 5 V

输入电容 3.08 nF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 3080pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCB20N60TM

型号： FCB20N60TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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替代型号FCB20N60TM

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