FQA30N40

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FQA30N40中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 30.0 A

额定功率 290 W

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 290 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 320 ns

输入电容Ciss 4400pF @25VVds

额定功率Max 290 W

下降时间 170 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA30N40
型号: FQA30N40
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
替代型号FQA30N40
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQA30N40

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

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