FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
欧时:
### SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220F
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
Win Source:
MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
针脚数 3
漏源极电阻 0.22 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 36 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
额定功率Max 36 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220F-3
长度 10.36 mm
宽度 16.07 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220F-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FCPF260N60E Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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