SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Description
SuperFET®II MOSFET is Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction SJ MOSFET family that is utilizing charge balance technologyfor outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimizeconduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC powerconversion for system miniaturization and higher efficiency.
Features
•RDSon = 65 mΩTyp
• Ultra Low Gate Charge Typ. Qg= 165 nC
• Low Effective Output Capacitance
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 481 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 52A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 8660pF @100VVds
额定功率Max 481 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 481W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free