N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
汽车 N 通道 MOSFET， Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
得捷:
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
欧时:
### 汽车 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 600V, 20A SuperFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R
DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Win Source:
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
通道数 1
漏源极电阻 171 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 405 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 2035pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 405W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FCB20N60F_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FCB20N60F-F085 安森美 | 功能相似 | FCB20N60F_F085和FCB20N60F-F085的区别 |