FDBL0210N80

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FDBL0210N80概述

Trans MOSFET N-CH 80V 240A 8Pin MO-299A T/R

N-Channel 80V 240A Tc 357W Tj Surface Mount 8-HPSOF


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N


艾睿:
MOSFET Code D IMR Learn More


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 240A 8-Pin MO-299A T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 240A 9-Pin8+Tab PSOF T/R


FDBL0210N80中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 357000 mW

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 240A

上升时间 63 ns

输入电容Ciss 10000pF @40VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 MO-299A-8

外形尺寸

高度 2.4 mm

封装 MO-299A-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDBL0210N80
型号: FDBL0210N80
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 80V 240A 8Pin MO-299A T/R

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