FJAFS1720TU

FJAFS1720TU图片1
FJAFS1720TU图片2
FJAFS1720TU图片3
FJAFS1720TU图片4
FJAFS1720TU图片5
FJAFS1720TU图片6
FJAFS1720TU概述

ESBC™ 功率晶体管,Fairchild Semiconductor双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™(发射器开关双极/MOSFET 共源栅极)以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容,因此提升了效率、灵活性和稳健性,并且最大限度地降低了驱动功率。

ESBC™ 功率, Semiconductor

双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™(发射器开关双极/MOSFET 共源栅极)以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容,因此提升了效率、灵活性和稳健性,并且最大限度地降低了驱动功率。


得捷:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT NPN 800V 12A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube


Verical:
Trans GP BJT NPN 800V 12A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail


FJAFS1720TU中文资料参数规格
技术参数

频率 15 MHz

极性 NPN

耗散功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 800 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 8

额定功率Max 60 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.7 mm

宽度 5.7 mm

高度 26.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FJAFS1720TU
型号: FJAFS1720TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:ESBC™ 功率晶体管,Fairchild Semiconductor 双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™(发射器开关双极/MOSFET 共源栅极)以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容,因此提升了效率、灵活性和稳健性,并且最大限度地降低了驱动功率。

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台