PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 117A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
150 V 8.2 MOHM TO263 3L JEDEC 绿色 EMC
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 117A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 117A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB082N15A MOSFET Transistor, N Channel, 105 A, 150 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
DeviceMart:
MOSFET N CH 150V 105A D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 0.0067 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 231 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 117A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 6040pF @25VVds
额定功率Max 231 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 294W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15