FDMT80080DC

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FDMT80080DC中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3200 mW

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 20720pF @40VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PQFN-8

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 PQFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMT80080DC
型号: FDMT80080DC
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 80V 36A 8Pin QFN EP T/R

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