FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF17N60NT 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V
N-Channel 600 V 17A Tc 62.5W Tc Through Hole TO-220F-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
贸泽:
MOSFET UniFET2 600V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF17N60NT Power MOSFET, N Channel, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 3040pF @25VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 62 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDPF17N60NT Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHP12N60E-GE3 威世 | 功能相似 | FDPF17N60NT和SIHP12N60E-GE3的区别 |
SIHP15N60E-GE3 威世 | 功能相似 | FDPF17N60NT和SIHP15N60E-GE3的区别 |