FGA5065ADF

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FGA5065ADF概述

IGBT 晶体管 FS3TIGBT TO3PN 50A 650V

IGBT Trench Field Stop 650V 100A 268W Through Hole TO-3PN


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


贸泽:
IGBT 晶体管 FS3TIGBT TO3PN 50A 650V


艾睿:
650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO / IGBT Trench Field Stop 650 V 100 A 268 W Through Hole TO-3PN


FGA5065ADF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 268 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 31.8 ns

额定功率Max 268 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA5065ADF
型号: FGA5065ADF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:IGBT 晶体管 FS3TIGBT TO3PN 50A 650V

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