FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚
分离式 IGBT、1000V 及以上, Semiconductor
### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
欧时:
### IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail
TME:
Transistor: IGBT; 1kV; 60A; 180W; TO264
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins
Win Source:
IGBT 1000V 60A 180W TO264
DeviceMart:
IGBT N-CH 1000V 60A TO-264
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 60.0 A
额定功率 180 W
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
上升时间 320 ns
击穿电压集电极-发射极 1000 V
反向恢复时间 1.2 µs
额定功率Max 180 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20 mm
宽度 5 mm
高度 26 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FGL60N100BNTD Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FGL60N100BNTDTU 安森美 | 功能相似 | FGL60N100BNTD和FGL60N100BNTDTU的区别 |