FDMT800120DC

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FDMT800120DC中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2W Ta, 156W Tc

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 20A

输入电容Ciss 7850pF @60VVds

耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PQFN-8

外形尺寸

封装 PQFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDMT800120DC
型号: FDMT800120DC
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 120V 20A 8Pin QFN EP T/R

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