FDMT800150DC

FDMT800150DC图片1
FDMT800150DC图片2
FDMT800150DC图片3
FDMT800150DC图片4
FDMT800150DC中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3200 mW

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 8205pF @75VVds

下降时间 9.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PQFN-8

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 PQFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMT800150DC
型号: FDMT800150DC
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 150V 15A 8Pin QFN EP T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台