FDH038AN08A1

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FDH038AN08A1概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 75 V 22A Ta, 80A Tc 450W Tc Through Hole TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3


贸泽:
MOSFET N-Ch PowerTrench


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDH038AN08A1  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 75 V, 3.8 mohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247


FDH038AN08A1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

漏源极电阻 0.0038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 450 W

阈值电压 4 V

输入电容 8.67 nF

栅电荷 125 nC

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 141 ns

输入电容Ciss 8665pF @25VVds

额定功率Max 450 W

下降时间 126 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDH038AN08A1
型号: FDH038AN08A1
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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