FCH125N60E概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 V 新
N-Channel 600V 29A Tc 278W Tc Through Hole TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
贸泽:
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
艾睿:
N Channel Mosfet
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 29A Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-247-3
FCH125N60E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.102 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 278 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2990pF @380VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 278W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FCH125N60E
型号： FCH125N60E
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 V 新