FCI25N60N_F102中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.107 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 216 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 3352pF @100VVds
额定功率Max 216 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 216W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FCI25N60N_F102
型号： FCI25N60N_F102
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCI25N60N_F102 Power MOSFET, N Channel, 25A, 600V, 0.107Ω, 10V, 2V