FQA90N15_F109参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

FQA90N15_F109图片1

FQA90N15_F109图片2

FQA90N15_F109图片3

FQA90N15_F109图片4

FQA90N15_F109图片5

FQA90N15_F109图片6

FQA90N15_F109图片7

FQA90N15_F109图片8

FQA90N15_F109中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 6 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 760 ns

输入电容Ciss 8700pF @25VVds

下降时间 410 ns

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQA90N15_F109

型号： FQA90N15_F109

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFET

替代型号FQA90N15_F109

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FQA90N15_F109

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQA90N15

飞兆/仙童

类似代替

FQA90N15_F109和FQA90N15的区别

FQH90N15

飞兆/仙童

功能相似

FQA90N15_F109和FQH90N15的区别