FCH110N65F_F155中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 357 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 4895pF @100VVds
下降时间 5.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买FCH110N65F_F155
型号： FCH110N65F_F155
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。