FDH50N50_F133

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FDH50N50_F133概述

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transis tors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

Features

• 48A, 500V, RDSon= 0.105Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge typical 105 nC

•Low Crss typical 45 pF

•Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability


得捷:
MOSFET N-CH 500V 48A TO-247


立创商城:
N沟道 500V 48A


贸泽:
MOSFET N-CH/500V/50A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin TO-247 Rail


富昌:
FDH44N50 系列 500 V 0.12 Ohm N 沟道 SMPS 功率Mosfet TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 48A TO-247


FDH50N50_F133中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 89 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 625 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 48A

上升时间 360 ns

输入电容Ciss 6460pF @25VVds

额定功率Max 625 W

下降时间 230 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 625W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDH50N50_F133
型号: FDH50N50_F133
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

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