500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transis tors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
Features
• 48A, 500V, RDSon= 0.105Ω@VGS= 10 V
• Low gate charge typical 105 nC
•Low Crss typical 45 pF
•Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
得捷:
MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
立创商城:
N沟道 500V 48A
贸泽:
MOSFET N-CH/500V/50A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin TO-247 Rail
富昌:
FDH44N50 系列 500 V 0.12 Ohm N 沟道 SMPS 功率Mosfet TO-247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
通道数 1
漏源极电阻 89 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 625 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 48A
上升时间 360 ns
输入电容Ciss 6460pF @25VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 230 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free