FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8030L 场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3
N-Channel 30 V 80A Ta 187W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8030L MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 187 W
阈值电压 1.5 V
输入电容 10.5 nF
栅电荷 120 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 185 ns
输入电容Ciss 10500pF @15VVds
额定功率Max 187 W
下降时间 200 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 187W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP8030L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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