FCB110N65F

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FCB110N65F中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 110 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 357 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 4895pF @100VVds

下降时间 5.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买FCB110N65F
型号: FCB110N65F
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3Pin TO-263 T/R

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