分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
分离式 IGBT、1000V 及以上， Semiconductor
### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
欧时:
Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 T/R
富昌:
1200V, 40A, TO-247, Field Stop Trench IGBT
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Rail
Win Source:
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3