FDH44N50

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FDH44N50概述

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is a 500V N-channel Power MOSFET based on planar stripe and DMOS technology. This SMPS series MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode"s reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100ns and the reverse dv/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200ns and 4.5V/ns respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET"s body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts. This product is general usage and suitable for many different applications.

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Low gate charge results in simple drive requirement
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Improved gate, avalanche and high reapplied dv/dt ruggedness
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Reduced miller capacitance and low input capacitance
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Improved switching speed with low EMI
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175°C Rated junction temperature
FDH44N50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 44.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 750 W

阈值电压 3.15 V

输入电容 5.34 nF

栅电荷 90.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 44.0 A

上升时间 84 ns

输入电容Ciss 5335pF @25VVds

额定功率Max 750 W

下降时间 79 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FDH44N50引脚图与封装图
FDH44N50引脚图
FDH44N50封装焊盘图
在线购买FDH44N50
型号: FDH44N50
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDH44N50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDH44N50

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STW20NK50Z

意法半导体

功能相似

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STW12NK90Z

意法半导体

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SPW20N60C3

英飞凌

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