FCA35N60

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FCA35N60概述

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。

利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCA35N60, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装


贸泽:
MOSFET 35A, 600V SuperFET


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCA35N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN


FCA35N60中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.079 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 312.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 6640pF @25VVds

额定功率Max 312.5 W

下降时间 73 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 312.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FCA35N60
型号: FCA35N60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。

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