SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCA35N60, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
贸泽:
MOSFET 35A, 600V SuperFET
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCA35N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.079 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 312.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 6640pF @25VVds
额定功率Max 312.5 W
下降时间 73 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15