FCA47N60_F109

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FCA47N60_F109中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 70 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 417 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 210 ns

输入电容Ciss 8000pF @25VVds

额定功率Max 417 W

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCA47N60_F109
型号: FCA47N60_F109
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
替代型号FCA47N60_F109
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