SupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 FOM 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a N-channel SupreMOS® high voltage super-junction MOSFET employs a deep Trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp ON-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
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- Ultra low gate charge Qg = 218nC
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- Low effective output capacitance Coss.eff = 914pF
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- 100% avalanche tested
针脚数 3
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 543 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 76A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 12385pF @100VVds
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 543 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.95 mm
宽度 5.03 mm
高度 21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15