FCH041N65F_F085

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FCH041N65F_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 96 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 595 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 76A

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 13566pF @25VVds

额定功率Max 595 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 595W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FCH041N65F_F085
型号: FCH041N65F_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3Pin TO-247 Rail

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