FCH76N60NF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0287 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 543 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 72.8A
上升时间 44 ns
输入电容Ciss 11045pF @100VVds
额定功率Max 543 W
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 543W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FCH76N60NF
型号： FCH76N60NF
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH76N60NF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 72.8 A, 600 V, 0.0287 ohm, 10 V, 3 V