晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 1.55 V, 940 W, 650 V, Module
Summary of Features:
Benefits:
耗散功率 940 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
输入电容Cies 18.5nF @25V
额定功率Max 940 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 940000 mW
引脚数 21
封装 AG-ECONO4-1
封装 AG-ECONO4-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Commercial and Agriculture Vehicles, Solar
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99