FJC1386QTF

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FJC1386QTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -5.00 A

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 2.7 mm

高度 1.7 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJC1386QTF
型号: FJC1386QTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
替代型号FJC1386QTF
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