FJA3835TU

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FJA3835TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 8.00 A

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 120 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJA3835TU
型号: FJA3835TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

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