特性•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=47KΩ)•FJV4106R的补充
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 68 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=10KΩ, R2=47KΩ • Complement to FJV4106R 描述与应用| 特性 •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=47KΩ) •FJV4106R的补充
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FJV3106RMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EKAT146 罗姆半导体 | 功能相似 | FJV3106RMTF和DTC114EKAT146的区别 |
MMUN2214LT1G 安森美 | 功能相似 | FJV3106RMTF和MMUN2214LT1G的区别 |
MUN2211T1G 安森美 | 功能相似 | FJV3106RMTF和MUN2211T1G的区别 |