FJY3009R

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FJY3009R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 0.98 mm

高度 0.78 mm

封装 SOT-523-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJY3009R
型号: FJY3009R
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

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