特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=47KΩ)•到FJV3103R补
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 68 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=10KΩ, R2=47KΩ • Complement to FJV3106R 描述与应用| 特点 •开关应用(偏置电阻内置) •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=47KΩ) •到FJV3103R补
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FJV4106RMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN2111T1G 安森美 | 功能相似 | FJV4106RMTF和MUN2111T1G的区别 |
MMUN2111LT1G 安森美 | 功能相似 | FJV4106RMTF和MMUN2111LT1G的区别 |
MMUN2114LT1G 安森美 | 功能相似 | FJV4106RMTF和MMUN2114LT1G的区别 |