FJY4001R

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FJY4001R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 20

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 0.98 mm

高度 0.78 mm

封装 SOT-523-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJY4001R
型号: FJY4001R
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
替代型号FJY4001R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJY4001R

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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R2001

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