FJV4108RMTF

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FJV4108RMTF概述

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=47KΩ,R2=22KΩ)•到FJV3108R补

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 47KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 2.14 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 56 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=47KΩ, R2=22KΩ • Complement to FJV3108R 描述与应用| 特点 •开关应用(偏置电阻内置) •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=47KΩ,R2=22KΩ) •到FJV3108R补

FJV4108RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV4108RMTF
型号: FJV4108RMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=47KΩ,R2=22KΩ)•到FJV3108R补

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