FSB660参数规格_中文资料_数据手册PDF

FSB660概述

PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 2 A 75MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3

得捷:
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 2A 3-Pin SuperSOT

FSB660中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： FSB660

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor