NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SC-89-3
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Trans Pre-Biased NPN 50V R1 4.7K R2 1
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-523-3
长度 1.7 mm
宽度 0.98 mm
高度 0.78 mm
封装 SOT-523-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99