FPN660A参数规格_中文资料_数据手册PDF

FPN660A概述

PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 3 A 75MHz 1 W Through Hole TO-226

得捷:
TRANS PNP 60V 3A TO226

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-226

FPN660A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FPN660A

型号： FPN660A

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor

替代型号FPN660A