FQPF3N50C

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FQPF3N50C概述

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

N-Channel 500 V 3A Tc 25W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F


立创商城:
N沟道 500V 3A


贸泽:
MOSFET N-CH/400V/ .6A/3.4OHM


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F


FQPF3N50C中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 365pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF3N50C
型号: FQPF3N50C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
替代型号FQPF3N50C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQPF3N50C

Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

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