200V N沟道的PowerTrench MOSFET剖 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET
N-Channel 200V 3A Ta 3W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
立创商城:
N沟道 200V 3A
贸泽:
MOSFET 200V NCh PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin FLMP SOIC T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
额定电压DC 200 V
额定电流 3.00 A
通道数 1
漏源极电阻 128 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1292pF @100VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS2170N3 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS2672 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS2170N3和FDMS2672的区别 |
FDS2170N7 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS2170N3和FDS2170N7的区别 |