FQI6N60CTU概述
N沟道 600V 5.5A
N-Channel 600 V 5.5A Tc 125W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
立创商城:
N沟道 600V 5.5A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
FQI6N60CTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 2.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
输入电容Ciss 810pF @25VVds
额定功率Max 125 W
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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