FQAF15N70

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FQAF15N70中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 700 V

额定电流 9.50 A

通道数 1

漏源极电阻 560 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 120 W

漏源极电压Vds 700 V

漏源击穿电压 700 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 3600pF @25VVds

额定功率Max 120 W

下降时间 120 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQAF15N70
型号: FQAF15N70
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFET

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