FQP10N60C参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQP10N60C概述

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

N-Channel 600V 9.5A Tc 156W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3

立创商城:
N沟道 600V 9.5A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin 3+Tab TO-220 Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220

FQP10N60C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 9.50 A

漏源极电阻 0.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

输入电容Ciss 2040pF @25VVds

额定功率Max 156 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP10N60C

型号： FQP10N60C

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

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替代型号FQP10N60C

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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