FDAF69N25参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDAF69N25概述

250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

N-Channel 250 V 34A Tc 115W Tc Through Hole TO-3PF

立创商城:
N沟道 250V 34A

得捷:
MOSFET N-CH 250V 34A TO3PF

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 34A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail

FDAF69N25中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 41.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 115W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 34.0 A

输入电容Ciss 4640pF @25VVds

额定功率Max 115 W

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SC-94

外形尺寸

封装 SC-94

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDAF69N25

型号： FDAF69N25

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET