FQB70N08TM

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FQB70N08TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 70.0 A

漏源极电阻 17.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 300 ns

输入电容Ciss 2700pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 145 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 155W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB70N08TM
型号: FQB70N08TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FQB70N08 / FQI70N08 80V N沟道MOSFET FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFET
替代型号FQB70N08TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

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