100V双N沟道PowerTrench MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
2个N沟道 100V 1.3A
贸泽:
MOSFET SO-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
额定电压DC 100 V
额定电流 1.30 A
漏源极电阻 480 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 153 pF
栅电荷 3.70 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.30 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 153pF @50VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS3601 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS3601_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS3601和FDS3601_NL的区别 |