N沟道 120V 32A
N-Channel 120 V 32A Tc 3.75W Ta, 150W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
立创商城:
N沟道 120V 32A
贸泽:
MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 32A 3-Pin3+Tab I2PAK T/R
额定电压DC 120 V
额定电流 32.0 A
极性 N-CH
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 1860pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 158 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 150W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99