FQAF19N20L概述
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
N-Channel 200V 16A Tc 85W Tc Through Hole TO-3PF
得捷:
MOSFET N-CH 200V 16A TO3PF
立创商城:
N沟道 200V 16A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF
FQAF19N20L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 16.0 A
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 85W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 85 W
耗散功率Max 85W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SC-94
外形尺寸
封装 SC-94
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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